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2013-05-23 12:21
求翻译：The gap between the powered electrode and the SiC wafer was 1 mm. Table I shows the experimental parameters of plasma irradiation.Thermal-oxidation of a SiC-C face was also conducted using a miniature lamp annealer.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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The gap between the powered electrode and the SiC wafer was 1 mm. Table I shows the experimental parameters of plasma irradiation.Thermal-oxidation of a SiC-C face was also conducted using a miniature lamp annealer.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
供电电极和碳化硅晶片之间的间隙为1毫米。
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2013-05-23 12:23:18
供给动力的电极和SiC薄酥饼之间的空白是1 mm。表我显示等离子辐照区域的实验参量。使用一微型灯annealer， SicC面孔的热量氧化作用也被举办了。
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2013-05-23 12:24:58
供给动力的电极和SiC薄酥饼之间的空白是1毫米。 表I显示血浆辐照区域的实验性参量。SiC-C面孔的热量氧化作用使用一微型灯annealer也被举办了。
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2013-05-23 12:26:38
供电的电极和碳化硅晶片之间的差距是 1 毫米表显示了等离子体辐照的实验参数。采用微型灯退火炉也进行了热氧化的 SiC C 面。
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2013-05-23 12:28:18
被发动的电极和 SiC 晶片之间的差距是 1 毫米。表 I 显示血浆的实验参数 irradiation.Thermal 氧化一张 SiC-C 脸中也使用一个微型灯磨练者被召开。
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