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2013-05-23 12:21
求翻译：From the inset picture in Fig.4(D), it also demonstrates that the direction of the Ag2S growth is perpendicular to the ITO face. Successive surface adsorption of ions during the SILAR process can cause partial restructuring of Ag+ excess in the first-step and S2- appears in the second-step. And because the solubility p是什么意思？ 待解决
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From the inset picture in Fig.4(D), it also demonstrates that the direction of the Ag2S growth is perpendicular to the ITO face. Successive surface adsorption of ions during the SILAR process can cause partial restructuring of Ag+ excess in the first-step and S2- appears in the second-step. And because the solubility p
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
从图4 （D）中的嵌入画面，它也表明，硫化银生长的方向是垂直于所述的ITO面。
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2013-05-23 12:23:18
从在Fig.4 (D)，它的插页图片也显示出， Ag2S成长的方向是垂直的对国际贸易组织面对。离子的连续表面吸附在SILAR过程中的在最初步可能导致Ag+剩余部份更改结构，并且S2-出现于第二步。并且，因为Ag2S溶度积小于CdS， Ag2S的形成的速度是更快的做化合物成为更紧的一些。
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2013-05-23 12:24:58
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:26:38
从 Fig.4(D) 中的嵌入图片，它还演示 Ag2S 生长的方向是垂直于 ITO 的脸。连续表面吸附的离子法过程中可能导致部分调整的 Ag + 过剩的第一步，S2-出现在第二步。Ag2S 的溶度积小于 Cd，因为 Ag2S 成形速度更快，使化合物变得有些紧。
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2013-05-23 12:28:18
从在 Fig.4 的插入物画 (D)，它也证明 Ag2S 成长的方向对于 ITO 脸是垂直的。在 SILAR 过程期间的离子的连续表面的吸附在首次步骤和 S2 中可以导致调整的 Ag+ 超出的泛音在第二步骤中出现。以及因为 Ag2S 的可溶解性产品比 CdS 更小， Ag2S 的形成速度是更快速的那做出是更紧紧地成为一些的化合物。
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