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2013-05-23 12:21
求翻译：After plasma-oxidation, the specimen was processed by polishing using CeO2 abrasive slurry. Fig. 3 shows the schematic image of the experimental setup for slurry polishing. The polishing conditions are shown in Table II. Although colloidal silica slurry was widely used for CMP of the Si faces of 4H-SiC substrates, we u是什么意思？ 待解决
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After plasma-oxidation, the specimen was processed by polishing using CeO2 abrasive slurry. Fig. 3 shows the schematic image of the experimental setup for slurry polishing. The polishing conditions are shown in Table II. Although colloidal silica slurry was widely used for CMP of the Si faces of 4H-SiC substrates, we u
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
等离子体氧化后，将试样通过使用氧化铈磨料浆抛光处理。
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
在血浆氧化作用以后，标本通过擦亮处理使用CeO2研磨剂泥浆。 。 3个展示实验性设定的概要图象为泥浆擦亮。 擦亮的条件在表II.显示。 虽然胶质硅土泥浆为4H-SiC基体的Si面孔的CMP是用途广泛，我们使用了CeO2作为研磨材料，因为将被擦亮的表面不是SiC，而是SiO2和CeO2为擦亮是被证明的非常高效率的基于SiO2的材料例如玻璃 (6)。 实际上， CeO2研磨剂为铺平是被证明的非常有用的Si面孔和4H-SiC的C面孔甚而没有初步氧化作用过程。它假设，化学反应发生了在CeO2体会表面铺平SiC基体的研磨剂和SiC之间。 这个假定在我们的未来研究将被证实。
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2013-05-23 12:26:38
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2013-05-23 12:28:18
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