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2013-05-23 12:21
求翻译：Fig. 4 shows an AFM image of a SiC-Si face processed by plasma-oxidation and CeO2 abrasive polishing. A well-ordered step-terrace structure was generated which means that this surface was atomically flat. The step-height was measured to be 0.25 nm corresponding to one bilayer of SiC. It was proved that this method, whi是什么意思？ 待解决
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Fig. 4 shows an AFM image of a SiC-Si face processed by plasma-oxidation and CeO2 abrasive polishing. A well-ordered step-terrace structure was generated which means that this surface was atomically flat. The step-height was measured to be 0.25 nm corresponding to one bilayer of SiC. It was proved that this method, whi
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
图。
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2013-05-23 12:23:18
图4显示等离子氧化作用和CeO2磨蚀擦亮处理的SiC Si面孔的一个AFM图象。意味着的一个秩序井然步大阳台结构引起了这表面是原子平的。步高度被测量是0.25毫微米与SiC相应一bilayer。证明，这个方法，结合等离子氧化作用和软绵绵地磨蚀擦亮，为铺平是非常有用的4H Sic基体的Si面孔。
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2013-05-23 12:24:58
。 4个展示血浆氧化作用和CeO2磨蚀擦亮处理的SiCSi面孔的AFM图象。 意味着的一个秩序井然步大阳台结构引起了这表面是原子平的。 步高度被测量是对应于SiC一bilayer的0.25毫微米。 它证明，这个方法，结合血浆氧化作用和软绵绵地磨蚀擦亮，为铺平是非常有用的4H-SiC基体的Si面孔。
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2013-05-23 12:26:38
图 4 显示了由等离子体氧化和 CeO2 研磨抛光处理的 SiC 寺脸 AFM 图像。一种有序的步阶结构生成这就意味着这种表面原子平面。台阶高度测量到 0.25 毫微米对应一个双层的碳化硅。它证明这种方法，结合等离子体氧化和软磨料抛光，是拼合 4 H-碳化硅衬底的 Si 面孔非常有用。
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2013-05-23 12:28:18
无花果。4 次显示被血浆氧化和 CeO2 磨料处理擦亮的一张电容率-Si 的脸的一幅 AFM 图像。一种好地订购继叠层式的结构被生成哪个表示这个表面利用原子能是淡而无味的。继高度被测量是与 SiC 的一个双分子层对应的 0.25 nm。是证明那这种方法，结合擦亮的血浆氧化和软的磨料，很有益于 4H 电容率 substrates 的 Si 脸的变单调。
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