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2013-05-23 12:21
求翻译：The step-height was measured to be 0.25 nm corresponding to one bilayer of SiC. It was proved that this method, which combined plasma-oxidation and soft abrasive polishing, was very useful for the flattening of the Si faces of 4H-SiC substrates.是什么意思？ 待解决
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The step-height was measured to be 0.25 nm corresponding to one bilayer of SiC. It was proved that this method, which combined plasma-oxidation and soft abrasive polishing, was very useful for the flattening of the Si faces of 4H-SiC substrates.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
台阶高度测定为对应于碳化硅的一个双层0.25纳米。
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2013-05-23 12:23:18
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:24:58
步高度被测量是对应于SiC一bilayer的0.25毫微米。 它证明，这个方法，结合血浆氧化作用和软绵绵地磨蚀擦亮，为铺平是非常有用的4H-SiC基体的Si面孔。
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2013-05-23 12:26:38
台阶高度测量到 0.25 毫微米对应一个双层的碳化硅。它证明这种方法，结合等离子体氧化和软磨料抛光，是拼合 4 H-碳化硅衬底的 Si 面孔非常有用。
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2013-05-23 12:28:18
继高度被测量是与 SiC 的一个双分子层对应的 0.25 nm。是证明那这种方法，结合擦亮的血浆氧化和软的磨料，很有益于 4H 电容率 substrates 的 Si 脸的变单调。
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