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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:Although the step-terrace structure of SiC could also be generated, the existence of pits greatly deteriorated the surface integrity. Also, the initial oxidation rates of thermal-oxidation and plasma oxidation were measured; it was found that the initial oxidation rate of plasma-oxidation was 6 times higher than that o是什么意思?

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Although the step-terrace structure of SiC could also be generated, the existence of pits greatly deteriorated the surface integrity. Also, the initial oxidation rates of thermal-oxidation and plasma oxidation were measured; it was found that the initial oxidation rate of plasma-oxidation was 6 times higher than that o
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
虽然也可以生成SiC的台阶 - 台面结构,凹坑的存在大大降低的表面完整性。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
虽然SiC步大阳台结构可能也引起,坑的存在很大地恶化了表面正直。并且,热量氧化作用的最初的氧化作用率和等离子氧化作用被测量了;发现等离子氧化作用的最初的氧化作用率高于那是6次热量氧化作用。什么是更多,等离子氧化作用和软绵绵地磨蚀擦亮得到的表面的质量好比商业使用的那是CMP。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
虽然SiC步大阳台结构可能也引起,坑的存在很大地恶化了表面正直。 并且,热量氧化作用的最初的氧化作用率和血浆氧化作用被测量了; 它被发现血浆氧化作用的最初的氧化作用率那是6次更加高于热量氧化作用。 什么是更多,血浆氧化作用和软绵绵地磨蚀擦亮得到的表面的质量好比商业使用的那是CMP。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
虽然也可以生成碳化硅的步阶结构,坑的存在极大地恶化的表面完整性。同时,测定了热氧化和等离子体氧化的初始氧化率 ;它发现等离子体氧化的初始氧化率高于热氧化高出 6 倍。更重要的是,通过等离子体氧化和软磨料抛光表面质量比,CMP 是商业用好多了。
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
虽然 SiC 的继叠层式的结构可以也被生成,坑的存在大大地恶化表面的完整。另外,热氧化和血浆氧化的最初氧化比率被测量;被找到那血浆氧化的最初氧化比率是 6 倍比热氧化更高的。而且,被血浆氧化和软的磨料获取擦亮的表面的质量是比商业上被使用的 CMP 更好得多的。
 
 
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