|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：In our recent research, much attention was paid to the flattening of the carbon face of 4H-SiC substrates. In recent years, studies and applications of the C face of 4H-SiC substrates were widely conducted [8]. Although some polishing techniques are successfully applied to Si face of 4H-SiC, flattening of C face with a是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
In our recent research, much attention was paid to the flattening of the carbon face of 4H-SiC substrates. In recent years, studies and applications of the C face of 4H-SiC substrates were widely conducted [8]. Although some polishing techniques are successfully applied to Si face of 4H-SiC, flattening of C face with a
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
在我们最近的研究中，多注意了的4H-SiC衬底的碳表面的平坦化。
|
|
2013-05-23 12:23:18
在我们的最近研究，注意给予了对铺平4H Sic基体的碳面孔。近年来， 4H Sic基体的C面孔的研究和应用广泛被举办了[8]。虽然一些擦亮的技术顺利地被运用于4H Sic的Si面孔，铺平与一个儿童计划免疫准备好水平的C面孔很少报告。
|
|
2013-05-23 12:24:58
在我们的最近研究，注意给予了对铺平4H-SiC基体的碳面孔。 近年来， 4H-SiC基体的C面孔的研究和应用广泛被举办了 (8)。 虽然一些擦亮的技术成功地被申请于4H-SiC的Si面孔，铺平C面孔与一个epi准备好水平很少报告。 原因是Si面孔和C面孔化工和机械性能是不同的; 因此理想的研磨剂为铺平Si面孔可能不是适当的为铺平C面孔。 正4H-SiC基体的Si面孔，我们认为C面孔可能通过表面氧化作用和磨蚀擦亮高效率地也铺平，因为C面孔是更加容易被氧化。 C面孔、正极氧化作用、血浆氧化作用和热量氧化作用的氧化作用方法在研究中。 作为一项初步研究，热量氧化作用的应用结果和磨蚀擦亮SiC-C面孔在
|
|
2013-05-23 12:26:38
在我们最近的研究中，被重视拼合 4 H-碳化硅衬底的碳脸。近年来，研究和应用的 SiC 4 H C 面衬底被广泛进行 [8]。虽然一些抛光技术成功地应用于寺脸的 4 H-碳化硅，平坦的 epi 准备水平的 C 面很少报道。原因是硅面和 C 面的化学和力学性质是不同的 ；因此理想的研磨剂的拼合的 Si 面孔未必适合拼合的 C 面。正如寺面对 4 H-碳化硅衬底，我们认为 C 面可以也被夷为平地有效表面氧化和研磨抛光因为 C 的面孔更容易被氧化。作为氧化的 C 面、 阳极氧化、 等离子体氧化和热氧化的方法正在审议。作为一个初步的研究，本文讨论了热氧化实际应用效果和抛光磨具的 SiC C 的面孔。
|
|
2013-05-23 12:28:18
正在翻译，请等待...
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
