|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：where, A is the area of the capacitor and p is the pyroelectric coefficient and ∆T is the change in temperature. The heat transfer process is well described in the figure 2.3. The heat sink can be compared to the silicon substrate and the power input is the infrared light.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
where, A is the area of the capacitor and p is the pyroelectric coefficient and ∆T is the change in temperature. The heat transfer process is well described in the figure 2.3. The heat sink can be compared to the silicon substrate and the power input is the infrared light.
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
其中，A是电容器的面积，p是热电系数和ΔT为温度变化。
|
|
2013-05-23 12:23:18
那里， A电容器和p的区域是pyroelectric系数，并且∆T是在温度上的变化。热传递过程在表2.3很好被描述。吸热器可以与硅体比较，并且功率输入是红外线。
|
|
2013-05-23 12:24:58
那里， A电容器和p的区域是pyroelectric系数，并且∆T是在温度上的变化。 热传递过程在表2.3很好被描述。 吸热器可以与硅体比较，并且功率输入是红外线。
|
|
2013-05-23 12:26:38
在那里，A 是电容器的地区和 p 是热释电系数，∆T 是温度的变化。传热过程是很好的描述图 2.3 中的。散热片可比作硅衬底和输入功率是红外灯。
|
|
2013-05-23 12:28:18
哪里， A 是容器和 p 的地区是 pyroelectric 系数和？T 是在温度方面的变化。热度转移过程好地在数字中被描述 2.3。热度水槽可以与硅相比 substrate 和力量输入是红外线光。
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
