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2013-05-23 12:21
求翻译：Although an atomically flat SiC-C face was obtained by thermal-oxidation and slurry polishing, many pits could be generated on a thermally oxidized SiC surface.These pits resulted from the preferential oxidation of defects in SiC, such as dislocations and low-angle grain boundaries [10]. Fig. 7 shows the surface proces是什么意思？ 待解决
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Although an atomically flat SiC-C face was obtained by thermal-oxidation and slurry polishing, many pits could be generated on a thermally oxidized SiC surface.These pits resulted from the preferential oxidation of defects in SiC, such as dislocations and low-angle grain boundaries [10]. Fig. 7 shows the surface proces
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
虽然一个原子级平坦的SiC - C面是由热氧化和浆料抛光得到许多凹坑可以在热氧化碳化硅surface.These凹坑导致从在碳化硅的缺陷，如位错和小倾角晶的优先氧化来生成
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2013-05-23 12:23:18
虽然一张原子平SicC面孔由擦亮的热量氧化作用和的泥浆获得，许多坑在热量地被氧化的SiC表面可能引起。这些坑起因于瑕疵的优先氧化作用在SiC的，例如脱臼和低角度晶界[10]。图7显示热量氧化作用和泥浆擦亮处理的表面观察由扫描白光干涉仪(SWLI)。虽然去除了抓痕，许多坑在表面。
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2013-05-23 12:24:58
虽然一张原子平SiC-C面孔由热量氧化作用和泥浆获得擦亮，许多坑在热量地被氧化的SiC表面可能引起。这些坑在SiC起因于瑕疵的优先氧化作用，例如脱臼和低角度晶界 (10)。 。 7个展示热量氧化作用处理的表面和扫描白光干涉仪观察的泥浆擦亮 (SWLI)。 虽然去除了抓痕，许多坑在表面保持。 因此，它结束热量氧化作用不是一个适当的方法为铺平C面孔
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2013-05-23 12:26:38
尽管原子平板 SiC C 面制得热氧化和浆抛光，可以在热氧化的 SiC 表面生成许多坑。这些坑造成 sic 陶瓷中的缺陷，如位错和低角度晶界 [10] 的优惠氧化。图 7 显示了通过热氧化和浆抛光加工表面观察扫描白光干涉法 （SWLI）。虽然取消了划痕，许多坑停留在表面上。因此，认为那热氧化是不合适的方法的 C 面平坦
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2013-05-23 12:28:18
虽然利用原子能变平 SiC-C 面对被热氧化和擦亮的 slurry 获取，很多坑可以在一热地被氧化的 SiC surface.These 被生成变得坑坑洼洼在 SiC 中由于缺陷的优先的氧化，例如变位和低角颗粒边界 (10)。无花果。被热氧化和擦亮的 slurry 处理的表面在一束仔细探索的白光旁边观察的 7 次显示 interferometre(SWLI)。虽然抓痕被撤销，很多坑在表面上剩余。因此，热氧化不是 C 用于变单调的一种合适的方法被结束面对
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