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2013-05-23 12:21
求翻译：Fig. 7 shows the surface processed by thermal-oxidation and slurry polishing observed by a scanning white light interferometer (SWLI). Although scratches were removed, many pits remained on the surface. Thus, it was concluded that thermal-oxidation was not a suitable method for flattening of C faces of4H-SiC substrates是什么意思？ 待解决
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Fig. 7 shows the surface processed by thermal-oxidation and slurry polishing observed by a scanning white light interferometer (SWLI). Although scratches were removed, many pits remained on the surface. Thus, it was concluded that thermal-oxidation was not a suitable method for flattening of C faces of4H-SiC substrates
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
图。
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2013-05-23 12:23:18
图7显示热量氧化作用和泥浆擦亮处理的表面观察由扫描白光干涉仪(SWLI)。虽然去除了抓痕，许多坑在表面。因此，结束热量氧化作用不是铺平的一个适当的方法C面孔of4H Sic基体。
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2013-05-23 12:24:58
。 7个展示热量氧化作用处理的表面和扫描白光干涉仪观察的泥浆擦亮 (SWLI)。 虽然去除了抓痕，许多坑在表面保持。 因此，它结束热量氧化作用不是一个适当的方法为铺平C面孔of4H-SiC基体。
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2013-05-23 12:26:38
图 7 显示了通过热氧化和浆抛光加工表面观察扫描白光干涉法 （SWLI）。虽然取消了划痕，许多坑停留在表面上。因此，认为那热氧化是不合适的方法平坦的 C 面 of4H SiC 衬底。
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2013-05-23 12:28:18
无花果。被热氧化和擦亮的 slurry 处理的表面在一束仔细探索的白光旁边观察的 7 次显示 interferometre(SWLI)。虽然抓痕被撤销，很多坑在表面上剩余。因此，热氧化不是 C 用于变单调的一种合适的方法被结束面对 of4H 电容率 substrates。
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