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2013-05-23 12:21
求翻译：Although scratches were removed, many pits remained on the surface. Thus, it was concluded that thermal-oxidation was not a suitable method for flattening of C faces of4H-SiC substrates.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Although scratches were removed, many pits remained on the surface. Thus, it was concluded that thermal-oxidation was not a suitable method for flattening of C faces of4H-SiC substrates.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
虽然除去划痕，许多凹坑保留在表面上。
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2013-05-23 12:23:18
虽然去除了抓痕，许多坑在表面。因此，结束热量氧化作用不是铺平的一个适当的方法C面孔of4H Sic基体。
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2013-05-23 12:24:58
虽然去除了抓痕，许多坑在表面保持。 因此，它结束热量氧化作用不是一个适当的方法为铺平C面孔of4H-SiC基体。
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2013-05-23 12:26:38
虽然取消了划痕，许多坑停留在表面上。因此，认为那热氧化是不合适的方法平坦的 C 面 of4H SiC 衬底。
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2013-05-23 12:28:18
虽然抓痕被撤销，很多坑在表面上剩余。因此，热氧化不是 C 用于变单调的一种合适的方法被结束面对 of4H 电容率 substrates。
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