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2013-05-23 12:21
求翻译：Combination of oxidation and soft abrasive polishing was conducted on Si faces and C faces of 4H-SiC substrates. When a SiC-Si face was processed by plasma-oxidation and CeO2 abrasive polishing, a scratch-free and pit-free SiC-Si face with a well-ordered one-bilayer step-terrace structure was obtained. In contrast, whe是什么意思？ 待解决
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Combination of oxidation and soft abrasive polishing was conducted on Si faces and C faces of 4H-SiC substrates. When a SiC-Si face was processed by plasma-oxidation and CeO2 abrasive polishing, a scratch-free and pit-free SiC-Si face with a well-ordered one-bilayer step-terrace structure was obtained. In contrast, whe
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
氧化和软研磨抛光结合对硅进行面和C面的4H - SiC衬底。
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2013-05-23 12:23:18
氧化作用和软绵绵地磨蚀擦亮的组合在Si面孔和4H Sic基体的C面孔被举办了。当SiC Si面孔通过等离子氧化作用和CeO2磨蚀擦亮处理，与一个秩序井然one-bilayer步大阳台结构的一张抓痕自由和坑自由的SiC Si面孔获得了。相反，当SicC面孔由thermaloxidation处理
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2013-05-23 12:24:58
氧化作用和软绵绵地磨蚀擦亮的组合在Si面孔和4H-SiC基体的C面孔被举办了。 当SiCSi面孔通过血浆氧化作用和CeO2磨蚀擦亮处理，一张无抓和无坑SiCSi面孔与一个秩序井然one-bilayer步大阳台结构获得了。 相反，当SiC-C面孔由thermaloxidation处理
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2013-05-23 12:26:38
氧化和软磨料抛光的组合进行寺的面孔和 C 4 H-碳化硅衬底的脸上。当碳化硅-硅脸由等离子体氧化和 CeO2 研磨抛光处理时，得到有序的一双层步阶结构无划痕、 无坑 SiC 寺脸。与此相反的是，当 SiC C 面已由 thermaloxidation 处理，
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2013-05-23 12:28:18
氧化和擦亮的软的磨料的组合在 Si 被进行面对和 C 面对 4H 电容率 substrates 中。一张电容率-Si 的脸被血浆氧化和 CeO2 磨料处理擦亮时，一无抓痕和无坑的电容率-Si 面临一种好地订购一个双分子层继叠层式的结构被获取。相比之下，一张 SiC-C 脸被 thermaloxidation 处理时
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