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2013-05-23 12:21
求翻译：When a SiC-Si face was processed by plasma-oxidation and CeO2 abrasive polishing, a scratch-free and pit-free SiC-Si face with a well-ordered one-bilayer step-terrace structure was obtained. In contrast, when a SiC-C face was processed by thermal oxidation and abrasive polishing, scratches were completely removed and a是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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When a SiC-Si face was processed by plasma-oxidation and CeO2 abrasive polishing, a scratch-free and pit-free SiC-Si face with a well-ordered one-bilayer step-terrace structure was obtained. In contrast, when a SiC-C face was processed by thermal oxidation and abrasive polishing, scratches were completely removed and a
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
当将SiC - Si面通过等离子体氧化和氧化铈磨料抛光处理，得到无划痕和坑 - 自由碳化硅Si面具有良好有序1 -双层台阶 - 台面结构。
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2013-05-23 12:23:18
当SiC Si面孔通过等离子氧化作用和CeO2磨蚀擦亮处理，与一个秩序井然one-bilayer步大阳台结构的一张抓痕自由和坑自由的SiC Si面孔获得了。相反，当SicC面孔通过热量氧化作用和磨蚀擦亮处理，完全地去除了抓痕，并且一个秩序井然步大阳台结构也得到了。然而，许多坑由于高氧化作用温度热量氧化作用被介绍了。
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2013-05-23 12:24:58
当SiCSi面孔通过血浆氧化作用和CeO2磨蚀擦亮处理，一张无抓和无坑SiCSi面孔与一个秩序井然one-bilayer步大阳台结构获得了。 相反，当SiC-C面孔通过热量氧化作用和磨蚀擦亮处理，完全地去除了抓痕，并且一个秩序井然步大阳台结构也得到了。 然而，许多坑由于高氧化作用温度热量氧化作用被介绍了。
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2013-05-23 12:26:38
当碳化硅-硅脸由等离子体氧化和 CeO2 研磨抛光处理时，得到有序的一双层步阶结构无划痕、 无坑 SiC 寺脸。与此相反的是，当 SiC C 面由热氧化和研磨抛光处理，划痕完全去除，也得到有序的步阶结构。不过，由于高氧化温度的热氧化引进了许多坑。
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2013-05-23 12:28:18
一张电容率-Si 的脸被血浆氧化和 CeO2 磨料处理擦亮时，一无抓痕和无坑的电容率-Si 面临一种好地订购一个双分子层继叠层式的结构被获取。相比之下，一张 SiC-C 脸被热氧化和磨料处理擦亮时，抓完全被撤销和一种好地订购继叠层式的结构也被获取。然而，很多坑由于热氧化的高氧化温度被介绍。
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