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2013-05-23 12:21
求翻译：This lower mobility, even with effective removal of mid-gap states through hydrogenation,arises due to the electronic defect states at the band edges of a-Si:H due to variations in Si-Si bond angle and length in the amorphous structure.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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This lower mobility, even with effective removal of mid-gap states through hydrogenation,arises due to the electronic defect states at the band edges of a-Si:H due to variations in Si-Si bond angle and length in the amorphous structure.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
这种较低的流动性，即使有效去除中间能隙通过氢化指出，出现由于电子缺陷态在的a-Si的频带边缘：H的变化导致的Si-Si键角和长度在非晶结构。
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2013-05-23 12:23:18
这种低移动性,即使有效的去除中的国家差距通过氢化,由于产生的电子缺陷在带边的A-Si:H因si-si债券角度和长度在非晶结构。
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2013-05-23 12:24:58
这更低的流动性，甚而以中间缺口状态有效的撤除通过加氢，出现由于电子瑕疵状态在Si带缘：H由于在SiSi键角上的变化和长度在无定形结构。
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2013-05-23 12:26:38
这较低的流动性，即使有隙国家通过加氢处理、 有效去除产生带边缘的电子缺陷态-非晶硅珮键角的变化和无定形结构的长度。
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2013-05-23 12:28:18
这更低的易变性，甚至随着差距中期的有效的删除陈述通过氢化作用，由于电子缺陷出现陈述在乐队 a-Si 的缓缓移动：由于在不规则的结构在 Si-Si 债券角和长度中的变化程度的 H。
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