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2013-05-23 12:21
求翻译：I requested customer to give me more wafers to test 2x1 DPSS. customer PE gave me one lot of test wafers. and I ran with the same process condition as yesterday(reduced develop puddle time to 2 puddles 20sec+21sec), after development,I inspected the wafers by OM.the resist bottom CD looks same(around2.0-2.1um)and no da是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
I requested customer to give me more wafers to test 2x1 DPSS. customer PE gave me one lot of test wafers. and I ran with the same process condition as yesterday(reduced develop puddle time to 2 puddles 20sec+21sec), after development,I inspected the wafers by OM.the resist bottom CD looks same(around2.0-2.1um)and no da
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
我要求客户给我更多的晶圆测试2X1 DPSS 。
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2013-05-23 12:23:18
我要求客户给我更多晶圆测试2x1dpss。客户PE给了我一个很大的测试晶圆,我跑同一个进程的情况昨日(减少了开发小凹坑洼里时间20秒 2 +21秒 ),开发完成后,我检查了晶圆的Om.抗CD底部查找同一个(约0 2um)和无黑线.但是当我运行AOI自动检查.我不知道它是由晶片表面是非常不好,很多的划痕。
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2013-05-23 12:24:58
我请求顾客给我更多薄酥饼测试2x1 DPSS。 顾客PE给了我一全部测试薄酥饼。 并且我跑了以和一样昨天减少开发水坑时间(对2个水坑20sec+21sec，在发展以后，)我由OM.the检查薄酥饼抵抗底下CD神色同样around2.0-2.1um和没有黑暗的(线)的处理情况。然而，当我跑了AOI汽车检查。我不是肯定的它是由薄酥饼表面造成的是非常坏，很多抓痕。 我在每射击也发现了重覆瑕疵为有些薄酥饼。我不是肯定的它导致由薄酥饼表面或在发展中。 我将要求顾客提供一些正常薄酥饼测试它明天。
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2013-05-23 12:26:38
我要求客户给我更多的晶圆测试 2 x 1 DPSS。客户体育给了我一个多测试晶片。和我一样昨天跑与相同工艺条件下 （减少开发水坑时间到 2 水坑 20 秒 + 21 秒），经过发展，我视察了硅片受到 OM.the 抵抗底部裁谈会看起来一样 (around2.0-2.1um) 和没有暗线。然而当我跑 AOI 自动检测。我不确定这造成硅片表面是非常糟糕的是，很多的划痕。我还发现重复一些薄片的每一次击球中的缺陷。不，我确信它引起的硅片表面或正在开发。我会要求客户提供一些正常的晶片，要明天考。
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2013-05-23 12:28:18
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