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2013-05-23 12:21
求翻译：这种在导通期间驱动高侧FET的方法避免了励磁开关的寄生电容和电感，否则往往会引起谐振，包括硬开关拓扑结构的较大的电压尖峰和振铃（图3）。通过消除尖峰和防止振铃，ZVS消除了另一个功率损耗和开关消除电磁干扰发射源。是什么意思？ 待解决
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这种在导通期间驱动高侧FET的方法避免了励磁开关的寄生电容和电感，否则往往会引起谐振，包括硬开关拓扑结构的较大的电压尖峰和振铃（图3）。通过消除尖峰和防止振铃，ZVS消除了另一个功率损耗和开关消除电磁干扰发射源。
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
这种在导通期间驱动高侧FET的方法避免了励磁开关的寄生电容和电感，否则往往会引起谐振，包括硬开关拓扑结构的较大的电压尖峰和振铃（图3）。通过消除尖峰和防止振铃，ZVS消除了另一个功率损耗和开关消除电磁干扰发射源。
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2013-05-23 12:23:18
）。通过消除尖峰和防止振铃，zvs消除了另一个功率损耗和开关消除电磁干扰发射源。 这种在导通期间驱动高侧fet的方法避免了励磁开关的寄生电容和电感，否则往往会引起谐振，包括硬开关拓扑结构的较大的电压尖峰和振铃（图3
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2013-05-23 12:24:58
这种在导通期间驱动高侧FET的方法避免了励磁开关的寄生电容和电感，否则往往会引起谐振，包括硬开关拓扑结构的较大的电压尖峰和振铃(图3)。通过消除尖峰和防止振铃， ZVS消除了另一个功率损耗和开关消除电磁干扰发射源。
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2013-05-23 12:26:38
这种在导通期间驱动高侧FET的方法避免了励磁开关的寄生电容和电感、 否则往往会引起谐振、 包括硬开关拓扑结构的较大的电压尖峰和振铃 (图3)。通过消除尖峰和防止振铃、 ZVS消除了另一个功率损耗和开关消除电磁干扰发射源。
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2013-05-23 12:28:18
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