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2013-05-23 12:21
求翻译：Eliminating the voltage spikes from the 开关 behavior also allows designers to select lower-voltage FETs with lower RDS（ON）。 One lasting rule of thumb（first-order approximation）is that for a given FET technology and die size, the RDS（ON）s of two FETs with different VDS（BR）will compare as：是什么意思？ 待解决
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- 离问题结束还有
Eliminating the voltage spikes from the 开关 behavior also allows designers to select lower-voltage FETs with lower RDS（ON）。 One lasting rule of thumb（first-order approximation）is that for a given FET technology and die size, the RDS（ON）s of two FETs with different VDS（BR）will compare as：
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
从开关行为，消除电压尖峰还允许设计人员选择低电压FET的低RDS（ON） ，一个拇指（一阶近似）的持久的规则是，对于一个给定的FET技术和芯片尺寸的RDS （ ON
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2013-05-23 12:23:18
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:24:58
消灭电压指针从开关行为也允许设计师选择lower-voltage FETs与更低的RDS ()。 一种持久的概测法(优先处理的略计)是那为特定FET技术和模子大小， RDS ()二个FETs s用不同的VDS (增殖比)的将比较如下：
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2013-05-23 12:26:38
消除电压尖峰从开关行为也允许设计者选择低电压 Fet 低 RDS （安大略省）。人持久的拇指规则 （一阶近似） 是为给定的场效应晶体管技术和模具尺寸，RDS （安大略省） s 的两个 Fet 不同 VDS （BR） 将作为进行比较：
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2013-05-23 12:28:18
消除电压突出从？?行为也允许设计师跟更低的 RDS(ON) 一起选择降低电压的 FETs？一条持久的规则 thumb(first 次序-approximation) 为一项特定 FET 技术是那和死亡大小，二具不同 VDS(BR) 的 FETs 的 RDS(ON) s 将比较如：
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