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2013-05-23 12:21
求翻译：较低电压的FET通过减少开关的导通损耗进一步提高了效率。所以，例如，用一个器件20 V器件替代30 V功率MOSFET，可以减少RDS（ON），所以由约2.7的一个因素，I2R损耗。是什么意思？ 待解决
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较低电压的FET通过减少开关的导通损耗进一步提高了效率。所以，例如，用一个器件20 V器件替代30 V功率MOSFET，可以减少RDS（ON），所以由约2.7的一个因素，I2R损耗。
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
较低电压的FET通过减少开关的导通损耗进一步提高了效率。所以，例如，用一个器件20
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2013-05-23 12:23:18
20 30较低电压的fet通过减少开关的导通损耗进一步提高了效率。所以，例如，用一个器件 v器件替代 v功率mosfet，可以减少rds（on），所以由约 的一个因素，i2r损耗。2
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2013-05-23 12:24:58
较低电压的FET通过减少开关的导通损耗进一步提高了效率。所以，例如，用一个器件20 V器件替代30 V功率MOSFET，可以减少RDS ()，所以由约2.7的一个因素， I2R损耗。
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2013-05-23 12:26:38
较低电压的FET通过减少开关的导通损耗进一步提高了效率。赶快后, 点查询即可，用一个器件20 V器件替代30 V功率MOSFET 可以减少RDS （上），所以由约2.7的一个因素，I2R损耗。
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2013-05-23 12:28:18
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