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2013-05-23 12:21
求翻译：Due to its high electric breakdown field, its high thermal conductivity and its wide band gap, SiC is nowadays one of the most promising semiconductor materials. New and better processing technologies which have been developed during the last ten years make it possible to produce different bipolar and unipolar power de是什么意思？ 待解决
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Due to its high electric breakdown field, its high thermal conductivity and its wide band gap, SiC is nowadays one of the most promising semiconductor materials. New and better processing technologies which have been developed during the last ten years make it possible to produce different bipolar and unipolar power de
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
由于其高电击穿场，其高导热性和它的宽带隙，碳化硅是当今最有前途的半导体材料中的一个。
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
归结于它的高电故障领域、它的高导热性和它的宽带隙， SiC现今其中一最有为的半导体材料。 被开发了在最近十年期间的新和更好的加工技术使成为可能导致根据这材料物理物质物产看图1导致非常好静态 (和动态性能) 与Si设备比较的SiC.1的不同的双极和单极功率设备。 如果包裹允许它，与更高的导热性结合的宽带隙另外允许设备经营在非常高温。
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2013-05-23 12:26:38
由于其高的电击穿的领域，其高的热导率和其宽带隙，碳化硅是当今一种最有前途的半导体材料。已在过去的十年期间的新的和更好的处理技术使我们能够产生不同极性和基于 SiC.1 的单电源设备这种材料的物理性质材料 （见图 1） 导致非常好的静态和动态性能相比，硅器件。此外结合更高的热导率的宽带隙允许设备在非常高的温度下操作，如果包允许它。
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2013-05-23 12:28:18
由于其高电气故障领域，其高热导电性和其宽阔的乐队裂口， SiC 目前是其中一个最有希望的半导体材料。在过去十年被发展了的新和更好处理技术使之变得可行生产不同双极和根据 SiC.1 的 unipolar 力量设备这种材料的物质的材料财产 ( 看到图 1) 导致很好静态和动态性能与 Si 设备相比。此外被与更高热导电性结合起来的宽阔的乐队裂口允许设备以很高温度运行如果包裹允许它。
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