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2013-05-23 12:21
求翻译：Choice of 器件: For a 400-V-grid the blocking requirements of the four transistors lead to the applications of two 650 V 器件 (S2206, 120 欧姆, 2. Generation MOSFET和S6206, 12 A, 2. Generation SBD)和two 1200 V 器件 (S2301, 80 欧姆, 2. Generation MOSFET和S6301, 5 A, 2. Generation SBD). Simulations have shown that despite the 高 开关 fr是什么意思？ 待解决
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Choice of 器件: For a 400-V-grid the blocking requirements of the four transistors lead to the applications of two 650 V 器件 (S2206, 120 欧姆, 2. Generation MOSFET和S6206, 12 A, 2. Generation SBD)和two 1200 V 器件 (S2301, 80 欧姆, 2. Generation MOSFET和S6301, 5 A, 2. Generation SBD). Simulations have shown that despite the 高 开关 fr
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
器件的选择：对于400 -V网的四个晶体管的阻塞要求导致两个650 V器件（ S2206 ， 120欧姆， 2代MOSFET和S6206 ， 12 A， 2代SBD ）和两个应用
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2013-05-23 12:23:18
所选择的器件:对于一个400V的电网阻塞的要求的四个晶体管的应用程序导致的两个650V器件(s2206、120欧姆,2。 一代mosfet和s6206、12A,2。 一代SBD)0 1200V器件(s2301、80欧姆,2。 一代mosfet和s6301、5、2。 一代SBD)。 模拟显示,尽管高开关频率fS100kHz的低损失能够取得的半导体。 模拟的结果为一个phase和三个阶段是图3中所示。
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2013-05-23 12:24:58
器件选择： 为400 V栅格四支晶体管的阻拦的要求导致二650 V器件S2206， 120 (欧姆， 2的应用。 世代MOSFET和S6206， 12 A， 2。 世代SBD)和二1200 V器件 (S2301， 80欧姆， 2。 世代MOSFET和S6301， 5 A， 2。 世代SBD)。 模仿显示那尽管高开关频率100千赫低损失fs在半导体能达到。 模仿结果为一阶段和三个阶段在图3显示。
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2013-05-23 12:26:38
器件的选择： 为 400-V-网格四个晶体管的阻塞要求导致的应用两个 650 V 器件 （S2206，120 欧姆，2。一代 MOSFET和S6206，12，2。代 SBD） 和two 1200 V 器件 （S2301，80 欧姆，2。5 代 MOSFET和S6301，2。代 SBD）。仿真结果表明尽管高开关频率 fs 100 千赫低损失的可以实现在半导体。仿真结果为三个阶段的一个 phase和图3 所示。
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2013-05-23 12:28:18
选择？?:对于 400-V-格子四个晶体管的阻挡要求导致二 650 的申请 V？?(120 岁的 S2206？?， , 2.一代 MOSFET？12 岁的 S6206 A， 2。一代 SBD)？二 V？?(80 岁的 S2301？?， , 2.一代 MOSFET？5 岁的 S6301 A， 2。一代 SBD)。模拟显示了那尽管？ ??100 千赫的频率的 f？损失可以在半导体被完成。模拟为一个阶段发生？对三个阶段被显示在？3.
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