|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：相比之前的IGBT4代的横截面示意图如图1所示。这两个器件都是基于成功的沟槽场终止技术。此外，为了处理短路事件期间的更高水平的功耗，实现了正面的厚铜（Cu）金属化。在以前的PCIM会议上介绍了提高短路承受时间的成功方法[3，4]。此外，铜金属化是用新的.XT引线键合技术实现的铜与实施的推动者。XT连接。该图也表明降低有源器件厚度为igbt5由此降低了静态和动态损耗。是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
相比之前的IGBT4代的横截面示意图如图1所示。这两个器件都是基于成功的沟槽场终止技术。此外，为了处理短路事件期间的更高水平的功耗，实现了正面的厚铜（Cu）金属化。在以前的PCIM会议上介绍了提高短路承受时间的成功方法[3，4]。此外，铜金属化是用新的.XT引线键合技术实现的铜与实施的推动者。XT连接。该图也表明降低有源器件厚度为igbt5由此降低了静态和动态损耗。
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
正在翻译，请等待...
|
|
2013-05-23 12:23:18
正在翻译，请等待...
|
|
2013-05-23 12:24:58
相比之前的IGBT4代的横截面示意图如图1所示。这两个器件都是基于成功的沟槽场终止技术。此外，为了处理短路事件期间的更高水平的功耗，实现了正面的厚铜(Cu)金属化。在以前的PCIM会议上介绍了提高短路承受时间的成功方法(3,4)。此外，铜金属化是用新的.XT引线键合技术实现的铜与实施的推动者。XT连接。该图也表明降低有源器件厚度为igbt5由此降低了静态和动态损耗。
|
|
2013-05-23 12:26:38
相比之前的IGBT4代的横截面示意图如图1所示。这两个器件都是基于成功的沟槽场终止技术。此外，为了处理短路事件期间的更高水平的功耗，实现了正面的厚铜 (Cu) 金属化。在以前的PCIM会议上介绍了提高短路承受时间的成功方法 [3，4]。此外，铜金属化是用新的。XT引线键合技术实现的铜与实施的推动者。XT连接。该图也表明降低有源器件厚度为igbt5由此降低了静态和动态损耗。
|
|
2013-05-23 12:28:18
正在翻译，请等待...
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
