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2013-05-23 12:21
求翻译：For module design, maximum performance improvement for new generation power modules requires a power 二极管 that is tightly matched to the IGBT. As illustrated in 图4, the 第五代 1700V 射极控制 (EC)二极管 has been further reduced in silicon thickness compared to the former technology. This is the basis for the reduced stationary and是什么意思？ 待解决
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For module design, maximum performance improvement for new generation power modules requires a power 二极管 that is tightly matched to the IGBT. As illustrated in 图4, the 第五代 1700V 射极控制 (EC)二极管 has been further reduced in silicon thickness compared to the former technology. This is the basis for the reduced stationary and
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
对于模块的设计，为新一代的功率模块最高性能的改善需要一个功率二极管的紧密匹配的IGBT 。
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2013-05-23 12:23:18
模块设计,可实现性能最大化的改善新一代电源模块需要一个电源,二极管紧密匹配到IGBT。 如中所示图4,第五代1700V射极控制(EC)二极管已进一步减少在芯片厚度比前技术。 这是减少了固定和动态损耗。
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2013-05-23 12:24:58
为模块设计，最高性能改善为新的世代力量模块要求紧紧被匹配对IGBT的力量二极管。 如被说明在图4，第五代1700V射极控制 (EC)二极管在硅厚度进一步减少了与前技术比较。 这是为减少的固定式和动态损耗的依据。
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2013-05-23 12:26:38
模块化设计，为新一代电源模块的最大性能改进需要紧密配合对 IGBT 功率二极管。如图4 所示，第五代 1700V 射极控制 （EC） 二极管已进一步从硅厚度相比，前者技术中下降。这是减少的静态和动态损耗的基础。
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2013-05-23 12:28:18
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