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2013-05-23 12:21
求翻译：In the on-state, if the gate-source potential is 0V, the channel region is undepleted. A low resistance current path is seen to exist directly from the source to the drain. As this current rises, the potential at the drain side of the channel increases. When this potential at the drain side of the channel reaches the 6是什么意思？ 待解决
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In the on-state, if the gate-source potential is 0V, the channel region is undepleted. A low resistance current path is seen to exist directly from the source to the drain. As this current rises, the potential at the drain side of the channel increases. When this potential at the drain side of the channel reaches the 6
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在接通状态中，如果栅 - 源极电位为0V ，则沟道区未耗尽。
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2013-05-23 12:23:18
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:24:58
在状态，如果门来源潜力是0V，渠道区域undepleted。 一个低抵抗当前道路被看见直接地从来源存在到流失。 As this current rises, the potential at the drain side of the channel increases. 当这潜力在渠道的流失边到达6V门限时，渠道捏，并且潮流饱和。
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2013-05-23 12:26:38
在状态上的栅-源潜力 0V，沟道区则 undepleted。低电阻的当前路径被认为存在直接从源到了下水道。这种电流上升，随着在漏极侧通道的潜力。当这一潜力在英吉利海峡的漏侧达到 6V 的阈值时，通道打顶和电流饱和。
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2013-05-23 12:28:18
在州，如果门来源的潜力是 0V，渠道地区被不耗尽。一条低电阻当前路径被处理直接来自来源对于排水存在。当这股流上涨，在渠道的排水边的潜力增加。当这在渠道的排水边的潜力达到 6V 阈值，渠道收缩从和流使饱和。
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