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2013-05-23 12:21
求翻译：图2 presents the typical 通态 characteristics of 1200V-80mΩ SiC 常开 JFET at different junction temperatures, showing the rapid decrease in saturation current with junction temperature. This occurs because of increase scattering of electrons at higher temperatures driven by greater lattice vibrations in the SiC crystal that是什么意思？ 待解决
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图2 presents the typical 通态 characteristics of 1200V-80mΩ SiC 常开 JFET at different junction temperatures, showing the rapid decrease in saturation current with junction temperature. This occurs because of increase scattering of electrons at higher temperatures driven by greater lattice vibrations in the SiC crystal that
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
图2给出1200V - 80mΩ SiC的典型通态特性常开JFET在不同的结温，呈现快速下降的饱和电流与结温。
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2013-05-23 12:23:18
图2显示了典型的特征通态1200V80mΩSIC常开JFET放大器在不同结点温度,显示快速下降,饱和电流与结温。 这种情况是因为增加散射的电子驱动在较高温度下更多的点阵振动的SIC晶体,进而导致一个下拉的电子移动性。
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2013-05-23 12:24:58
图2提出1200V-80mΩ SiC常开JFET的典型的通态特征在不同的结温，显示在饱和电流的迅速减退以结温。 这在电子迁移率反过来导致下落。的SiC水晶发生由于增量驱散电子在更加巨大的格子振动驾驶的高温。
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2013-05-23 12:26:38
图2 介绍了 1200V 80mΩ SiC 常开 JFET 在不同交界处的温度，显示快速减少饱和电流与结温的典型通态特点。因为增加散射电子在较高温度下，驱使更多的晶格振动，反过来会导致下降的电子迁移率的 SiC 晶体中出现这种情况。
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2013-05-23 12:28:18
？2 件礼物典型？?1200V-80mO SiC 的特征？?对不同汇合处温度的 JFET，显示在有汇合处温度的饱和流方面的快速减少。这发生因为在 SiC 水晶被更重要格子架震动吸引的更高的温度的电子的增长散射那在旋转中在电子易变性中导致滴 ..
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