|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：图9 shows the measured unclamped inductive switching waveform of a 1.2kV SiC级联[2]. The 级联 avalanche capability is found to be quite similar to that of the JFET,和 is not limited by the LV Silicon MOSFET. Once the LV MOSFET is turned off,和 the SiC JFET drain voltage rises to its avalanche breakdown level, current flows in是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
图9 shows the measured unclamped inductive switching waveform of a 1.2kV SiC级联[2]. The 级联 avalanche capability is found to be quite similar to that of the JFET,和 is not limited by the LV Silicon MOSFET. Once the LV MOSFET is turned off,和 the SiC JFET drain voltage rises to its avalanche breakdown level, current flows in
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
图9示出了1.2KV SiC的测量松开电感式开关波形级联[2]。
|
|
2013-05-23 12:23:18
图9显示了测量伸出感应开关波形的一个1.2kV sic级联[2]。 级联雪崩的功能非常类似,JFET,和不受LV芯片MOSFET。 一旦LV MOSFET已关闭的SIC JFET放大器和电压升高到排放的雪崩击穿一级来说,目前流动最初在门排放二极管。 再次,它开发了一种电压的内部RG的JFET放大器。 此电压达到bv(lvmos）─VTH试验过程更接近真实(jfet）。
|
|
2013-05-23 12:24:58
正在翻译，请等待...
|
|
2013-05-23 12:26:38
图9 显示测量门静脉感应开关波形的 1.2kV SiC级联 [2]。级联雪崩能力是发现是非常相似的 JFET 和不受到限制，LV 硅 MOSFET。一旦 LV MOSFET 处于关闭状态，和碳化硅 JFET 漏电压上升到雪崩击穿水平，最初在栅-漏二极管的电流流动。再次，它横跨 JFET 内部 RG 开发一个电压。这一电压达到 BV(LVMOS) — — VTH(JFET)。在那当前 JFET 通道再次开启，多于其余的 UI 当前像以前一样从这个通道流过。再次，栅-漏二极管需要一些雪崩电流，具体取决于当前的水平，多于通道处理的其余部分。在此模式下，LV MOSFET 是也驱动，雪崩，携带相同电流
|
|
2013-05-23 12:28:18
正在翻译，请等待...
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
