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2013-05-23 12:21
求翻译：Note that if the internal RG of the JFET was zero, 而 JFET gate was shorted to the source of the LV MOSFET, all of the avalanche current would flow in the gatedrain diode of the SiC JFET, which is simply a 漏-源 current path in the 级联. The SiC JFET can handle this mode of operation as well, but some gate resistance is bui是什么意思？ 待解决
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Note that if the internal RG of the JFET was zero, 而 JFET gate was shorted to the source of the LV MOSFET, all of the avalanche current would flow in the gatedrain diode of the SiC JFET, which is simply a 漏-源 current path in the 级联. The SiC JFET can handle this mode of operation as well, but some gate resistance is bui
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
注意，如果JFET的内部的RG是零，而JFET栅极被短路到LV MOSFET的源极，所有的雪崩电流将流动在所述SiC JFET ，这是一个简单的漏的gatedrain二极管 - 源电流路径
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2013-05-23 12:23:18
请注意,如果内部RG的JFET是零,而短路是JFET栅极与源的MOSFET的LV,所有的雪崩电流流gatedrain SIC二极管的JFET放大器,这是一种漏-源当前路径级联中。 SIC JFET放大器可以处理这种运作模式,但一些门电阻置于级联限制其最大切换速度。
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2013-05-23 12:24:58
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2013-05-23 12:26:38
请注意，如果 JFET 内部 RG 是零，而 JFET 门被短路到 LV MOSFET 的来源，所有当前雪崩会流 SiC 的结，是简单 © 源当前路径中的级联的 gatedrain 二极管。SiC JFET 可以处理这种模式的操作，以及，但一些栅电阻内置级联来限制其最大的开关速度。
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2013-05-23 12:28:18
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