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2013-05-23 12:21
求翻译：The forward voltage of the 7th generation diode was reduced by reduction of the drift layer. Comparing to the 6th generation diode，forward voltage was reduced by 0.15V at the 相同电流密度（Tj=150 ℃）. The reverse recovery switching waveform is shown in fig. 4. Compared to the 6th generation diode，the 7th generation diode reali是什么意思？ 待解决
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The forward voltage of the 7th generation diode was reduced by reduction of the drift layer. Comparing to the 6th generation diode，forward voltage was reduced by 0.15V at the 相同电流密度（Tj=150 ℃）. The reverse recovery switching waveform is shown in fig. 4. Compared to the 6th generation diode，the 7th generation diode reali
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
第7代二极管的正向电压降低了还原漂移层的。
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
第7个世代二极管的正向电压被漂泊层数的减少减少。 比较与第6个世代二极管，正向电压被0.15V减少在相同电流密度(Tj=150 ℃)。 反向补救开关信号波形显示在。 4. 与第6个世代二极管比较，第7个世代二极管由地方终身控制的优化体会更软的开关信号波形。 这更软的开关信号波形对反向补救峰值电流和的21%减少最后贡献了对相反补救损失(犯错)减少15%。
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2013-05-23 12:26:38
第 7 代二极管的正向电压被减少漂移层。与第六代二极管相比，正向电压降低了 0.15 v 在相同电流密度 (Tj = 150 ℃）。反向恢复开关波形如图 4 所示。第 7 代二极管与第六代二极管相比，通过局域寿命控制的优化实现多软开关波形。这软开关波形贡献 21 ％，减少反向恢复峰值 current和finally 反向恢复 losses(Err) 减少了 15%。
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2013-05-23 12:28:18
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