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2013-05-23 12:21
求翻译：Fig. 7. Lattice temperature profile in the active Si-layer for 25nm channel length FD-SOI device using our temperature and thickness dependent thermal conductivity model (top) and thermal conductivity tensor model (bottom). Finally in Fig. 8 we show the role of the choice of the BOX material on the lattice temperature 是什么意思？ 待解决
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Fig. 7. Lattice temperature profile in the active Si-layer for 25nm channel length FD-SOI device using our temperature and thickness dependent thermal conductivity model (top) and thermal conductivity tensor model (bottom). Finally in Fig. 8 we show the role of the choice of the BOX material on the lattice temperature
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
图。
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
。 7. 使用我们的温度和厚度依赖导热性模型上面和导热性张量模型底部装饰温度曲线图在活跃 (Si层数) 为25nm通道长度FD-SOI (设备)。 最后在。 当箱子是SiO2、金刚石和AlN时， 8我们在渠道在格子温度显示箱子材料的选择的角色为案件。 Thecorresponding当前退化在参考被给。 (6). 我们在图不显示箱子由于缺乏空间，但是和在参考能被看见。 (6)，即使AlN和金刚石几乎给同样当前退化，金刚石是好热分布器，以便从热撤除观点，当使用时金刚石，因为从热的箱子材料然后撤除从基体是更加高效率的comparedto案件，当你有AlN作为箱子材料时。
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2013-05-23 12:26:38
图 7。格子 25nm 通道长度 FD SOI 设备使用我们的温度和厚度取决于热导率模型 （顶部） 活跃的硅层的温度分布和热导率张量模型 （底部）。最后在图 8 中我们的这个盒子材质选择的角色晶格温度情况下通道中时显示框中 SiO2、 钻石和氮化铝。文献 [6] 中给出相应的电流退化。我们不会显示在图框中由于缺乏空间，但可以看出在参考文献 [6]，即使氮化铝和钻石给几乎相同的当前退化，钻石是很多更好的导热，因此从热去除的角度来看，钻石用作框材料，然后从衬底热去除是效率更高的时候相比于案件时一有氮化铝作为一种框材料。
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2013-05-23 12:28:18
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