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2013-05-23 12:21
求翻译：55V high-side RESURF LDMOS has been integrated successfully in 0.35pm smart power technology by carefully arranging the lateral doping profile.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
55V high-side RESURF LDMOS has been integrated successfully in 0.35pm smart power technology by carefully arranging the lateral doping profile.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
55V高侧LDMOS RESURF已成功集成在下午12点35智能电源技术，通过精心安排的横向掺杂分布。
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2013-05-23 12:23:18
55V高端resurf LDMOS已集成成功在0PM智能电源技术,仔细安排了横向兴奋剂配置文件。
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2013-05-23 12:24:58
55V高边RESURF LDMOS在0.35pm聪明的力量技术成功地集成了通过仔细安排侧向掺杂的外形。
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2013-05-23 12:26:38
55V 高压侧高压 LDMOS 已经由精心安排的侧掺杂在 12:35 下午智能电力技术成功地纳入。
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2013-05-23 12:28:18
55V 高边 RESURF LDMOS 成功集成了在下午 0.35 点通过仔细地安排侧面用药物刺激侧面的智能力量技术。
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