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2013-05-23 12:21
求翻译：A higher breakdown voltage can be realized for the conventional structure by adding an n- layer under the Pwell for conventional RESURF LDMOS to support the same high breakdown voltage as in the optimized structure.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
A higher breakdown voltage can be realized for the conventional structure by adding an n- layer under the Pwell for conventional RESURF LDMOS to support the same high breakdown voltage as in the optimized structure.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
较高的击穿电压可以通过添加在P阱的正层为常规RESURF LDMOS支持相同的高击穿电压作为该最优化的结构实现为常规结构。
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2013-05-23 12:23:18
较高的击穿电压可以实现传统的结构,增加一个N-层在pwell resurf LDMOS的常规支持相同的高击穿电压,在优化结构。
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2013-05-23 12:24:58
更高的击穿电压可以为常规结构体会通过增加n-层数在Pwell之下为常规RESURF LDMOS支持高击穿电压和一样在优化结构。
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2013-05-23 12:26:38
更高的击穿电压可以实现通过添加 n 层下阱为常规高压 LDMOS 以支持相同的高的击穿电压，在优化结构的常规结构。
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2013-05-23 12:28:18
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