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2013-05-23 12:21
求翻译：Fig.8. This punch-through can be retarded by increasing the doping of the P-well as shown in Fig. 9. The doping values on the x-axis are normalized to the optimum doping utilized in realization of high-side double RESURF LDMOS. As the charge in the P-well is increased the punch-through voltage increases until it reache是什么意思？ 待解决
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Fig.8. This punch-through can be retarded by increasing the doping of the P-well as shown in Fig. 9. The doping values on the x-axis are normalized to the optimum doping utilized in realization of high-side double RESURF LDMOS. As the charge in the P-well is increased the punch-through voltage increases until it reache
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
图8 。
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
。 这拳打通过可以通过增加掺杂减速P-well如所显示。 9. 掺杂的价值在Ｘ轴正常化到在高边双RESURF LDMOS的认识运用的最宜掺杂。 因为充电在P-well是增加的拳打通过电压增加，直到它到达雪崩故障极限。 增加充电不仅其中任一进一步将导致雪崩击穿电压对下落为这个被隔绝的设备，而且增加高边RESURF LDMOS的在抵抗以恶劣的设备输出特性。
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2013-05-23 12:26:38
图 8.这冲床通过可以通过增加掺杂 P 阱，如图 9 所示减速。在 x 轴上的掺杂值归一化处理，以利用高边双高压 LDMOS 实现最佳服用兴奋剂。随着 P 阱中的电荷的增加冲床通过电压增加，直到它到达了雪崩击穿极限。增加的收费任何进一步将不仅导致雪崩击穿电压降为此孤立的设备，但也增加了导通电阻的高压侧高压 LDMOS 与差设备输出特性。
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2013-05-23 12:28:18
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