求翻译：The charge in the depleted gate will then help to deplete the n-well drift region from above while the substrate depletes the n-well from below是什么意思？

待解决

悬赏分：1 - 离问题结束还有

The charge in the depleted gate will then help to deplete the n-well drift region from above while the substrate depletes the n-well from below

问题补充：

匿名	2013-05-23 12:21:38 在耗尽栅极的电荷，然后将有助于耗尽n阱来自上述漂移区，而衬底耗尽n阱从下面

匿名	2013-05-23 12:23:18 的电量耗尽门然后将有助于消耗掉N的漂移时从上方区域的纸张消耗n-从低于

匿名	2013-05-23 12:24:58 当基体耗尽n-well从下边时，充电在被耗尽的门然后将帮助耗尽n-well漂泊区域从上述

匿名	2013-05-23 12:26:38 电荷在贫门然后将有助于消耗 n 井漂移区从上面，而衬底耗尽 n 井从下面

匿名	2013-05-23 12:28:18 正在翻译，请等待...

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