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关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：A gate doping of 4*1016 cm-3 and a polysilicon thickness of 0.5μm was used unless otherwise stated in all the simulations.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
A gate doping of 4*1016 cm-3 and a polysilicon thickness of 0.5μm was used unless otherwise stated in all the simulations.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
的4 ×10 16 cm -3的和为0.5μm的多晶硅厚度的栅极掺杂物使用，除非在所有模拟另有说明。
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2013-05-23 12:23:18
一个门的使用兴奋剂4*1016cm3和一个个多晶硅的厚度为0μm的使用,除非另有说明,所有的模拟。
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2013-05-23 12:24:58
门掺杂4*1016 cm3和polysilicon厚度0.5μm在所有模仿除非另外说明使用了。
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2013-05-23 12:26:38
4 * 1016 厘米门掺杂-除非另有说明在所有模拟采用 3，多晶硅厚度为 0.5 μ m。
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2013-05-23 12:28:18
正在翻译，请等待...
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