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2013-05-23 12:21
求翻译：This was followed by successive deposition of 1 mm ILD-2, 50 nm SiNx etch stop, 1 mm ILD-3, 100-nm SiNx polish stop, and in some cases an additional polish stop of 50 nm PECVD SiO2 and 50 nm Ta etch mask and polish stop.是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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This was followed by successive deposition of 1 mm ILD-2, 50 nm SiNx etch stop, 1 mm ILD-3, 100-nm SiNx polish stop, and in some cases an additional polish stop of 50 nm PECVD SiO2 and 50 nm Ta etch mask and polish stop.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
这之后，为1mm连续沉积ILD -2， 50纳米的SiN x蚀刻停止1毫米的ILD -3， 100纳米的SiN x抛光停止，和50nm的PECVD SiO 2和50纳米的Ta蚀刻在某些情况下，一个附加的抛光停止
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2013-05-23 12:23:18
其次是连续沉积的1毫米ild-2,sinx50纳米制程技术蚀刻停止,1mm ild-3、100-NM sinx波兰停止,在一些情况下,一个额外的波兰停止50纳米制程PECVD SiO2和50纳米制程TA蚀刻掩码和波兰停止。
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2013-05-23 12:24:58
这由1毫米跟随ILD-2、50毫微米SiNx铭刻中止、1毫米ILD-3， 100nm SiNx擦亮剂中止和在某些情况下另外的波兰中止的连续证言50毫微米PECVD SiO2和50毫微米Ta铭刻面具和波兰中止。
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2013-05-23 12:26:38
其后，1 毫米 ILD-2，50 的连续沉积纳米氮化硅蚀刻停止，1 毫米 ILD 3，100 纳米氮化硅波兰站，并在某些情况下附加的波兰停止的 50 毫微米 PECVD SiO2 和 50 nm Ta 蚀刻掩模和波兰站。
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2013-05-23 12:28:18
这紧随 1 毫米 ILD-2 的连续沉积物， 50 nm SiNx 蚀刻停止， 1 毫米 ILD-3， 100-nm 的 SiNx 擦亮停止，在某些情况下， 50 nm PECVD SiO2 和 50 nm Ta 的其他的擦亮停止蚀刻面罩和擦亮停止。
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