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2013-05-23 12:21
求翻译：The SiNx etch stop on metal-1 was then etched by RIE, and the VIA cleaned with 100:1 DI:HF, prior to metal-2 deposition which consisted of 50 nm Ta and 3 mm Cu.是什么意思？ 待解决
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The SiNx etch stop on metal-1 was then etched by RIE, and the VIA cleaned with 100:1 DI:HF, prior to metal-2 deposition which consisted of 50 nm Ta and 3 mm Cu.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
在氮化硅上的金属-1蚀刻停止然后通过RIE腐蚀，并用100清洗VIA ： 1 DI： HF，前金属-2沉积其由为50nm的Ta和3mm的Cu 。
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2013-05-23 12:23:18
蚀刻的sinx1停止在金属蚀刻的是然后除,通过清理的100:1DI:HF,在金属2沉积,包括50纳米电讯管理局局长和3mm Cu。
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2013-05-23 12:24:58
SiNx铭刻中止在金属1由RIE然后铭刻，和通过清洗与100:1二：HF，在包括50毫微米Ta和3毫米Cu的金属2证言之前。
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2013-05-23 12:26:38
氮化硅蚀刻金属 1 站随后的反应离子刻蚀，蚀刻和威盛用 100: 1 DI:HF，其中包括 50 毫微米 Ta 和 3 毫米铜的金属 2 沉积前清洗。
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2013-05-23 12:28:18
SiNx 蚀刻停止上金属-1 然后被 RIE 蚀刻，以及通过在包含 50 nm Ta 和 3 毫米 Cu 的金属-2 的沉积物之前跟 100:1 DI:HF 一起打扫。
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