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2013-05-23 12:21
求翻译：The addition of a 100:1 DI:HF VIA clean prior to metal-2 deposition improved the specific contact resistance by an order of magnitude to the mid 10-9 Q-cm2 range,which is comparable to SiO2 ILD results [6,7].是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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The addition of a 100:1 DI:HF VIA clean prior to metal-2 deposition improved the specific contact resistance by an order of magnitude to the mid 10-9 Q-cm2 range,which is comparable to SiO2 ILD results [6,7].
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
增加了一个100： 1的DI ：HF VIA清洁之前金属-2沉积数量级与所述中间10-9 C- cm 2的范围内，这相当于二氧化硅的ILD结果的命令[6,7改善固有接触电阻
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2013-05-23 12:23:18
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:24:58
100:1二的加法：HF通过干净在金属2证言之前由数量级改进了具体接触电阻对中间10-9 Qcm2范围，与SiO2 ILD结果6,7是 (可比较的)。
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2013-05-23 12:26:38
DI:HF 通过在金属 2 沉积之前清洁 100: 1 的另外由中期的 10 9 Q-cm2 范围，即 SiO2 ILD 结果 [6，7] 相媲美的数量级改善具体的接触电阻。
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2013-05-23 12:28:18
100:1 DI:HF 的增加通过在被改善的金属-2 的沉积物之前打扫由到 10-9 年中期 Q-cm2 的幅度的一数量级所作的特定接触性抵抗，可与 SiO2 ILD 结果媲美 (6， 7)。
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