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2013-05-23 12:21
求翻译：The metal-2 RIE etch mask and polish stop was 100 nm SiNx, 50 nm SiO2 and 50 nm Ta, with the wafer diced into 4-cm2 pieces with four die per piece prior to the last RIE to allow additional lot splits during the VIA processing.是什么意思？ 待解决
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The metal-2 RIE etch mask and polish stop was 100 nm SiNx, 50 nm SiO2 and 50 nm Ta, with the wafer diced into 4-cm2 pieces with four die per piece prior to the last RIE to allow additional lot splits during the VIA processing.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
金属2的RIE蚀刻掩模和抛光停止为100nm的SiN x ， 50纳米的SiO 2和50纳米的Ta ，与晶片切割成4厘米2片，每前最后的RIE片四个模具以允许VIA期间额外大量分裂
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2013-05-23 12:23:18
正在翻译，请等待...
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2013-05-23 12:24:58
金属2 RIE铭刻面具和波兰中止是100毫微米SiNx， 50毫微米SiO2和50毫微米Ta，当薄酥饼切成小方块入4cm2片断与四模子每个片断在最后RIE之前允许另外的全部分裂在期间通过处理。
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2013-05-23 12:26:38
金属 2 RIE 刻蚀的面具和波兰站是 100 纳米氮化硅，50 纳米 SiO2 和 50 毫微米 Ta，与硅片丁成四种模具每一块事先 4 cm2 件到最后反应离子刻蚀，允许额外多拆分在 VIA 处理过程中。
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2013-05-23 12:28:18
金属-2 的 RIE 蚀刻面罩和擦亮停止是 100 nm SiNx， 50 nm SiO2 和 50 nm Ta，拿着跟四一起到 4-cm2 的部分中被切成方块的晶片在最后的 RIE 之前每部分死亡承认其他的一批分裂期间通过处理。
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