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2013-05-23 12:21
求翻译：As well as the SiC-SBDs, the charcteristics of the SiCMOSFETs has positive temperature dependency. This makes parallel operation easy. From Fig. 6, it is obvious that very low on resistance (RonA) and enough threshold voltage (Vth) to realize normally-off are obtained. The normally-off state can be maintained even at h是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
As well as the SiC-SBDs, the charcteristics of the SiCMOSFETs has positive temperature dependency. This makes parallel operation easy. From Fig. 6, it is obvious that very low on resistance (RonA) and enough threshold voltage (Vth) to realize normally-off are obtained. The normally-off state can be maintained even at h
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
以及在SiC - SBD的试制时， SiCMOSFETs的退化特征具有正的温度依赖性。
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2013-05-23 12:23:18
以及SIC的SBD,charcteristics sicmosfets有的正温度依赖性。 这使并行操作更加简便。 从图。 6、显然,极低接通电阻(RONA)和电压阈值(VTH试验过程更接近真实),以实现正常的关闭。 正常关闭状态甚至可以保持在较高的温度(如200°℃之间。 图。 7和无花果树。 8)显示的关闭和打开波形的SIC的MOSFET,分别。
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2013-05-23 12:24:58
并且SiC-SBDs， SiCMOSFETs的charcteristics有正面温度附庸。 这使并行操作容易。 从。 6，它是显然的非常低在抵抗 (RonA) 和足够的门限电压 (Vth) 体会normally-off获得。 normally-off状态可以被维护甚而在高温例如200摄氏度。 。 7和。 8展示SiCMOSFET的岔开和turnon信号波形，分别。 岔开和turnn开关期间是卓越地短的与那些SiIGBTs比较。 它根据温度注意到，开关行为少量变化。 所以，岔开和turnon损失是几乎恒定的。 岔开的损失和打开的损失在DC链接电压Vee 600V和结温7; 150摄氏度减少到40
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2013-05-23 12:26:38
碳化硅-情景，以及 SiCMOSFETs 的特点已积极温度的相关性。这使得并行操作容易。从图 6，很明显那是非常低的电阻 (罗娜) 得到了足够的阈值电压 (Vth) 实现正常关闭。正常关闭状态可以维持甚至在例如 200 摄氏度的高温。图 7 和图 8 分别显示 SiC MOSFET，关断和打开波形。岔路口和 turnn 切换时间是非常短相比，这些硅 Igbt。它指出，交换行为取决于温度变化小。因此，让人倒胃口，打开损失是在几乎不变。关断损耗和直流环节电压 600V 和结温 7; Vee 导通损耗150 摄氏度的减少到 40%和 31%相比，这些硅 igbt 器件，分别。
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2013-05-23 12:28:18
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