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2013-05-23 12:21
求翻译：Fig. 9 illustrates internl structures of conventional and new packages. In order to realize high power density, the newly developed structure has copper pins attached to each chip electrode instead of using conventional wire-bond [5]. To realize high temperature operation and high power density, low thermal-resistance 是什么意思？ 待解决
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Fig. 9 illustrates internl structures of conventional and new packages. In order to realize high power density, the newly developed structure has copper pins attached to each chip electrode instead of using conventional wire-bond [5]. To realize high temperature operation and high power density, low thermal-resistance
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
图。
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2013-05-23 12:23:18
图。 9说明了内部成本结构的传统和新的软件包。 为了实现高的功率密度、新开发的结构有铜针脚连接至每个芯片电极而不是使用常规焊线[5]。 以实现高操作温度和高功率密度、低散热电阻是通过使用获得的直接铜绑定(DCB)板,该板具有厚CU和silicon-nitride(SI3n4)主板[6]。
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2013-05-23 12:24:58
。 9说明常规和新的包裹internl结构。 为了体会威力强大的密度，新开发的结构有铜别针附加每个芯片电极而不是使用常规导线结合 (5)。 要体会高温度操作和威力强大的密度，低热量抵抗通过使用有厚实的Cu和 (硅氮化物) Si3N4板6的直接铜接合 (DCB) 板 (获得)。 而且，高温抗体的环氧造型结构是应用的而不是常规硅树脂胶凝体被归档的结构，在芯片圆周的连接点导致减少的畸变。 许多小芯片的倍数并联由新的结构执行。 结构使能大量和小型。 。 10个展示一个新开发的2 I类型的相片
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2013-05-23 12:26:38
图 9 说明了 internl 结构的传统和新的软件包。为了实现高功率密度，新开发的结构有铜针连接到每个芯片电极而不是使用传统线-债券 [5]。为了实现最高工作温度和高功率密度，低热阻通过使用直接铜键合 (DCB) 板具有厚铜和氮化硅 (Si3N4) 板 [6]。此外，高耐热环氧树脂电子封装结构被应用而不是常规硅胶提起结构，结果在交界处的芯片周长减少失真。多个并行连接的许多小芯片进行新的结构。结构使容量大，体积小。图 10 显示的照片在新开发的 2 型
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2013-05-23 12:28:18
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