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2013-05-23 12:21
求翻译：Then in this dissertation the RESURF technology and RESURF technology of LDMOS is studied. Then based on RESURE technology ,to LDMOS component craft and characteristic research,research on the technology and characteristics of LDMOS device.The power LDMOS device is obtained by using the Tsuprem-4,the drift region of LD是什么意思？ 待解决
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Then in this dissertation the RESURF technology and RESURF technology of LDMOS is studied. Then based on RESURE technology ,to LDMOS component craft and characteristic research,research on the technology and characteristics of LDMOS device.The power LDMOS device is obtained by using the Tsuprem-4,the drift region of LD
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
那么在本文的RESURF技术和RESURF LDMOS技术的研究。
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2013-05-23 12:23:18
然后,在该论文的resurf技术和LDMOS的resurf技术研究。 然后根据resure技术、LDMOS组件工艺和特性研究,研究的技术和特征的LDMOS设备.电源LDMOS设备是通过使用tsuprem-4,漂移的LDMOS区域是旨在通过调整偏移、深、长度、注射剂量和处理参数。 和LDMOS设备的特点是深入研究的梅第奇的使用。
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2013-05-23 12:24:58
然后在这份学术论文RESURF技术和LDMOS RESURF技术被学习。 然后基于RESURE技术，对LDMOS组分工艺和典型对技术的研究、LDMOS设备的研究和特征。力量LDMOS设备通过使用Tsuprem-4得到， LDMOS的漂泊区域通过调整漂泊被设计，深，长度、射入药量和过程参数。 并且LDMOS设备的特征深深通过使用MEDICI学习。
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2013-05-23 12:26:38
然后在此论文 RESURF 技术和 RESURF 技术的 LDMOS 研究。然后基于救驾技术、 LDMOS 组件工艺和特点研究，LDMOS 器件的特点与技术的研究。功率 LDMOS 器件通过使用 Tsuprem 4，设计了 LDMOS 漂移区，通过调整漂移、 深、 长度、 注射剂量和工艺参数。的 LDMOS 器件的特点是深采用美第奇家族进行了研究。
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2013-05-23 12:28:18
然后在这个学术演讲 RESURF 技术和 LDMOS 的 RESURF 技术被研究。然后到 LDMOS 组件技艺和特征，根据 RESURE 技术调查， LDMOS device.The 力量的技术和特征上的调查 LDMOS 设备被获取所作使用 Tsuprem-4， LDMOS 的漂流物地区被设计，通过调整漂流物，深，长度，注射药，过程参数。以及 LDMOS 设备的特征深深地被研究所作使用 MEDICI。
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