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2013-05-23 12:21
求翻译：Beyond these large values of TMR across MgO-based MTJs, this impact of the barrier's electronic structure on tunnelling spintronics has been indirectly confirmed by engineering the junction's potential landscape for electrons of a given symmetry是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
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Beyond these large values of TMR across MgO-based MTJs, this impact of the barrier's electronic structure on tunnelling spintronics has been indirectly confirmed by engineering the junction's potential landscape for electrons of a given symmetry
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
除了TMR跨氧化镁为主MTJs这些大值，屏障的电子结构对隧道自旋电子学的这种影响已经被间接工程结点的潜力景观对于一个给定对称电子证实
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2013-05-23 12:23:18
除了这些较大的数值,在TMR mgo的mtjs,这种影响的"障碍"的电子结构spintronics隧道工程已间接地证实的工程连接的潜在发展前景甚为电子的一个给定对称
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2013-05-23 12:24:58
在TMR之外的这些大价值横跨基于MgO的MTJs，障碍的电子结构的这冲击在挖洞spintronics通过设计连接点的潜力风景间接地证实了为一个特定对称的电子
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2013-05-23 12:26:38
超出跨越基于 MgO Mtj TMR 这些大型值，此屏障的电子结构对隧道自旋电子学的影响间接证实了工程交界处的潜在景观为给定的对称电子
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2013-05-23 12:28:18
在这些之外大全基于 MgO 的 MTJs 的 TMR 的值，关于挖 spintronics 的障碍的电子结构的这种影响非直接被为特定对称的电子设计汇合处的潜在风景确认了
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