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  • 匿名
关注:1 2013-05-23 12:21

求翻译:This is an indication of the improved material quality due to the lower dislocation density in the thick HVPE GaN substrate.是什么意思?

待解决 悬赏分:1 - 离问题结束还有
This is an indication of the improved material quality due to the lower dislocation density in the thick HVPE GaN substrate.
问题补充:

  • 匿名
2013-05-23 12:21:38
这是改善材料质量的指示,由于在厚HVPE GaN衬底的较低的位错密度。
  • 匿名
2013-05-23 12:23:18
这是一个表明改善物质质量由于密度低失调的hvpe乾基材厚度。
  • 匿名
2013-05-23 12:24:58
这是被改进的物质质量的征兆由于更低的位错密度在厚实的HVPE GaN基体。
  • 匿名
2013-05-23 12:26:38
这是由于较低的位错密度在厚 HVPE GaN 衬底材料质量有所改善的迹象。
  • 匿名
2013-05-23 12:28:18
这是由于在浓的 HVPE GaN 的更低的变位密度的被改善的材料质量的一个迹象 substrate。
 
 
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