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2013-05-23 12:21
求翻译：All the above steps are for Low Pressure CVD (LPCVD) growth. Note that graphene can also be fabricated via atmospheric pressure CVD, in which case a huge amount of argon gas is usually used to purge of the residue oxygen in the chamber to protect the metal surface from being oxidized, beside hydrogen gas, and to dilute是什么意思？ 待解决
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All the above steps are for Low Pressure CVD (LPCVD) growth. Note that graphene can also be fabricated via atmospheric pressure CVD, in which case a huge amount of argon gas is usually used to purge of the residue oxygen in the chamber to protect the metal surface from being oxidized, beside hydrogen gas, and to dilute
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
所有上述步骤是低压CVD （ LPCVD ）的增长。
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2013-05-23 12:23:18
上述所有步骤都是在低压CVD(lpcvd)增长。 请注意,石墨烯制造也可以通过大气压力和反补贴税,在这种情况下大量的氩气通常被用来清除残留氧的分庭保护金属表面被氧化,氢气旁边,并削弱的前身沉积率较低。
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2013-05-23 12:24:58
所有上述步是为低压CVD (LPCVD) 成长。 注意graphene可能通过大气压CVD也被制造，在一个巨额氩气体通常用于对残滓氧气的清除在房间保护金属表面免受在氢气旁边被氧化，和稀释前体降低沉积率情况下。
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2013-05-23 12:26:38
低压力化学气相沉积 (LPCVD) 增长是所有上述的步骤。请注意，石墨烯还可以制备常压化学气相沉积，通常使用案例大量的氩气中分庭以防止金属表面被氧化，旁边的氢气，并稀释到较低的沉积速率前体的残留氧气清除。
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2013-05-23 12:28:18
都以上步骤为低压力的 CVD(LPCVD) 成长。请注意， graphene 可以也通过大气压力被制作 CVD，在这种情况下，大量氩气体通常在室中习惯残留物氧气的清洗在氢气气体旁边从被氧化保护金属表面，稀释降低沉积物比率的先驱者。
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