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2013-05-23 12:21
求翻译：Ga and F codoping was applied by mid-frequency magnetron sputtering on glass substrates at room temperature to prepare ZnO-based thin films with excellent opto-electrical properties. The effects of deposition parameters including sputtering power and pressure were investigated by varying them from 200 W to 2300 W and f是什么意思？ 待解决
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Ga and F codoping was applied by mid-frequency magnetron sputtering on glass substrates at room temperature to prepare ZnO-based thin films with excellent opto-electrical properties. The effects of deposition parameters including sputtering power and pressure were investigated by varying them from 200 W to 2300 W and f
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
镓和F共掺杂施加由中频磁控溅射在玻璃基板上，在室温下以制备ZnO系薄膜具有优异的光电特性。
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2013-05-23 12:23:18
GA和F codoping年年中应用的频率磁控管溅射在玻璃基片在室温下,准备氧化锌的薄膜具有极佳光电电气属性。 沉积的影响参数,其中包括离子溅射功率和压力进行了调查他们的不同从200W到2300W和0.1PA,PA1,分别。 当时的电影交存了多晶结构和一个强首选C-轴的方向。
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2013-05-23 12:24:58
codoping飞溅在玻璃基体的中频磁控管申请Ga和F在室温准备基于ZnO的薄膜与优秀opto电子物产。 证言参量的作用包括飞溅力量和压力通过变化他们调查从200 W到2300 W和从0.1 Pa到1.0 Pa，分别。 和被放置的影片有一个多晶的结构和一个强的首选的c轴取向。 影片的张力状态也取决于XRD分析，并且一剩余应力-1.08 GPa获得了在1300 W。 抵抗力一样低，象6.4 x 10( -4) Ω cm为影片达到了被放置在1300 W和0.1 Pa。 Ga-F-codoped ZnO光学表现摄制显著改善比较Al被掺杂的ZnO影片，陈列高透射率>90%。 霍尔效应的测量表示，
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2013-05-23 12:26:38
遗传算法和 F 掺杂中频磁控溅射法在玻璃衬底上制备 ZnO 基薄膜具有优异的光电性能室温上应用。沉积参数包括溅射功率和压力的影响通过改变他们 200 W 至 2300 W 和从 0.1 到 1.0 Pa Pa，分别。作为薄膜有多晶结构和较强的 c 轴择优的取向。电影的应变状态也决心通过 x 射线衍射分析和残余应力的-1.08 GPa 索取 1300 霖存放在 1300年这部电影获得了电阻率低至 6.4 x 10(-4) 欧米茄厘米 W 和 0.1 pa.大大改进的 Ga F 掺杂 ZnO 薄膜的光学性能相比 Al 掺杂 ZnO 薄膜，参展的高透光率 > 90%。霍尔效应测量表明，遗传算法
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2013-05-23 12:28:18
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