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2013-05-23 12:21
求翻译：Further, the use of SiC MOSFET technology is not limited to LED 驱动器 in the 150–300W range. SiC technology can be combined with 两级拓扑结构 in order to address an array of unique design challenges, including：high power LED 驱动器 (up to 1,000W), ultrawide input voltage ranges (up to 528VAC), high efficiency (>95%), and high pow是什么意思？ 待解决
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Further, the use of SiC MOSFET technology is not limited to LED 驱动器 in the 150–300W range. SiC technology can be combined with 两级拓扑结构 in order to address an array of unique design challenges, including：high power LED 驱动器 (up to 1,000W), ultrawide input voltage ranges (up to 528VAC), high efficiency (>95%), and high pow
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
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2013-05-23 12:23:18
进一步,使用碳化硅MOSFET技术并不限于LED驱动器在150-300W范围内。 SIC技术可以结合两级拓扑结构为了解决一系列的独特的设计挑战,电源指示灯including：high驱动器(最多可达1W)香港显浩输入电压范围(高达528V交流),效率高(>95%),以及极高的功率密度。
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2013-05-23 12:24:58
进一步，对SiC MOSFET技术的用途在150-300W范围没有被限制到LED驱动器。 SiC技术可以与两级拓扑结构结合为了演讲独特的设计挑战，包括：威力强大的LED驱动器 (由1,000W决定)， ultrawide输入电压范围 (由528VAC决定)，高效率 (>95%)和威力强大的密度。 另外，当SiC MOSFET技术继续搬入更低的力量和低压应用，典型的单级LED驱动器 (<75W) 也将受益于更低的共计BOM，它使能的被改进的表现和更大的功率密度。 结果， SiC MOSFET技术在所有功率射程保持平衡成为选择器件为LED驱动器。
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2013-05-23 12:26:38
进一步，SiC MOSFET 技术的使用并不限于在 150-300W 范围 LED 驱动器。SiC 技术可以结合两级拓扑结构针对数组的独特的设计挑战，包括: 高功率 LED 驱动器 (最大为 1，000W)，超输入电压范围 (528VAC)，效率高 (> 95%)，和高功率密度。此外，SiC MOSFET 技术继续进入低功耗和低电压应用，典型的单级 LED 驱动器 (< 75W) 也将受益于较低的总物料清单、 改进的性能和更高的功率密度它启用。因此，SiC MOSFET 技术有望成为的 LED 驱动器中所有的权力范围的首选器件。
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2013-05-23 12:28:18
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