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2013-05-23 12:21
求翻译：Increased 损耗 with high step-down ratios are largely a consequence of the utilization of “hard” switching, under which MOSFETs turn on or off at high currents and voltages. A new buck 拓扑结构 utilizing Zero Voltage Switching (ZVS) cuts power 损耗 arising from several causes – it reduces switching 损耗 and also cuts gate drivin是什么意思？ 待解决
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Increased 损耗 with high step-down ratios are largely a consequence of the utilization of “hard” switching, under which MOSFETs turn on or off at high currents and voltages. A new buck 拓扑结构 utilizing Zero Voltage Switching (ZVS) cuts power 损耗 arising from several causes – it reduces switching 损耗 and also cuts gate drivin
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
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2013-05-23 12:23:18
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2013-05-23 12:24:58
增加的损耗以高逐步减低的比率主要是“坚硬”开关的运用的后果，在之下MOSFETs关闭或在高潮流和电压。 运用零的电压开关ZVS的一新的大型装配架 (拓扑结构) 削减出现从几起因的力量损耗-它减少开关损耗并且削减驾驶损耗的门，并且消灭FET身体二极管传导。
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2013-05-23 12:26:38
与高降压比率增加的损耗是很大程度上的后果的"硬"开关，利用下，Mosfet 打开或关闭在高电流和电压。利用零电压开关 (ZVS) 新巴克拓扑结构减少电力损耗所产生的几个原因 — — 它降低了开关损耗，并且还减少门驾驶损耗，以及消除 FET 体二极管的导通。
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2013-05-23 12:28:18
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