|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：The resonator structure is first etched in a silicon on insulator (SOI) layer using a deep reactive ion etching (DRIE) 工艺. After the resonators are etched, the wafer surfaces are planarized by filling the trenches with oxide. The oxide is patterned to form contact holes that allow electrical connection to the resonator是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
The resonator structure is first etched in a silicon on insulator (SOI) layer using a deep reactive ion etching (DRIE) 工艺. After the resonators are etched, the wafer surfaces are planarized by filling the trenches with oxide. The oxide is patterned to form contact holes that allow electrical connection to the resonator
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
正在翻译，请等待...
|
|
2013-05-23 12:23:18
谐振器的结构是第一次蚀刻在硅芯片上的绝缘体 ( SOI ) 图层使用的是深反应离子刻蚀 ( 深度离子蚀刻（ DRIE ）技术 ) 工艺。 在谐振器的都是刻蚀、晶片的表面是由 5:6:5 填壕沟的氧化物。 氧化物是图案的形成联系人孔 , 使电气连接的谐振器。 瘦硅层的顶部的氧化和通风孔的图案在消除氧化周围的谐振器的横梁。
|
|
2013-05-23 12:24:58
谐振器结构在硅在绝缘体SOI层数 (首先) 被铭刻使用一深刻的易反应的离子蚀刻 (DRIE) 工艺。 在谐振器被铭刻之后，薄酥饼表面是通过填装沟槽planarized用氧化物。 氧化物被仿造形成允许与谐振器的电子连接的联络孔。 稀薄的硅层数增长在氧化物顶部，并且出气孔被仿造允许围拢谐振器射线氧化物的撤除。 氧化物去除以氢氟酸蒸气创造独立谐振器射线，允许谐振器振动。
|
|
2013-05-23 12:26:38
谐振腔结构是第一次刻在硅 (soi) 图层使用深反应离子刻蚀 (DRIE) 工艺上。谐振器被蚀刻后，硅片表面被 planarized 的战壕里充满氧化。氧化是图案化，形成允许对谐振器的电气连接的接触孔。薄薄的硅层生长在氧化和通风口的图案，让周围的谐振梁的氧化物的清除。氧化被切除氢氟酸气相打造独立式谐振梁，使谐振器振动。
|
|
2013-05-23 12:28:18
正在翻译，请等待...
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
