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2013-05-23 12:21
求翻译：These rapidly evolving use cases and system requirements demand more from our microwave subsystems and components and lead to the newest advances in device technology, such as GaN （whether GaN on SiC or GaN on Si）. The commercialization of GaN is the first new compound semiconductor technology to move into volume produ是什么意思？ 待解决
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These rapidly evolving use cases and system requirements demand more from our microwave subsystems and components and lead to the newest advances in device technology, such as GaN （whether GaN on SiC or GaN on Si）. The commercialization of GaN is the first new compound semiconductor technology to move into volume produ
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
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2013-05-23 12:23:18
这些迅速发展的使用案例和系统的需求要求更多的从我们的微波子系统和组件 , 并导致最新的进步 , 设备的技术 , 如干（是否乾在 SiC 和 GaN 上思之。 在商业化的 GaN 是第一新的复合半导体技术进入量产自天的砷化镓的商业化在九十年代初。 到目前为止 , 主体的基站的考绩制度已 Si 的 LDMOS 。
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2013-05-23 12:24:58
这些迅速地演变的用途案件和系统要求在设备技术要求更多从我们的微波子系统和组分并且导致最新的前进，例如GaN (是否GaN在SiC或GaN在Si)。 GaN的商品化是在90年代初搬入的第一新的Ⅰ - Ⅴ族化合物半导体技术批量生产从天GaAs商品化。 直到现在，基地舞步中流砥柱是基于Si的LDMOS。 以移动向更高的频率(在2.5千兆赫之上)和更加宽广的带宽(超出200兆赫)， GaN开始显示清楚的好处对系统设计师。 GaN的效率导致“更加绿色的”设备，特别是以更高的频率，并且GaN费用迅速地下降。 以推挤对3.5千兆赫为有些系统和演变对联合和连接的系统为5G， GaN的好处结束Si LDMOS似
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2013-05-23 12:26:38
这些迅速用例及系统要求更多的从我们的微波子系统和组件的需求，导致设备的技术，比如甘的最新进展 (是否对 SiC 或 si 甘甘)。氮化镓的商业化是第一个新化合物半导体技术将进入批量生产自 90 年代初的 GaAs 商业化天。到目前为止，基站考绩制度的支柱已 Si 基 LDMOS。随着迁往更高的频率 (高于 2.5 g h z) 和更广泛的带宽 (超过 200 MHz)，甘开始到系统设计器显示明显的优势。甘的效率导致"绿色"的设备，特别是在更高的频率，和甘成本正在迅速下降。推送到 3.5 g h z 对于一些系统，与到 5 G 集成和连接系统的演变，Si LDMOS 的甘的优势似乎更强。
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2013-05-23 12:28:18
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