|
关注：1
2013-05-23 12:21
求翻译：Graphene synthesis, hydrogen 10sccm flow cleaning cavity,Then we carry on the annealing to process 30 minutes to start Cu grain growth and to clean the substrate surface. Then deposited at 1050 ℃ for 15 minutes under precursor’s mixture of CH4 (5 sccm) and H2 (35 sccm).是什么意思？ 待解决
 悬赏分：1
- 离问题结束还有
Graphene synthesis, hydrogen 10sccm flow cleaning cavity,Then we carry on the annealing to process 30 minutes to start Cu grain growth and to clean the substrate surface. Then deposited at 1050 ℃ for 15 minutes under precursor’s mixture of CH4 (5 sccm) and H2 (35 sccm).
问题补充： |
|
2013-05-23 12:21:38
null
|
|
2013-05-23 12:23:18
石墨烯的合成、氢气 10 sccm 流清洁模腔 , 然后我们进行退火处理 30 分钟开始 Cu 粮食增长和清洁基材的表面上。 然后存放在 1050 ℃ 15 分钟前体的混合物 , CH 4 ( 5 sccm ) 和 H 2 ( 35 sccm ) 。
|
|
2013-05-23 12:24:58
Graphene综合，氢10sccm流动清洁洞，然后我们继续焖火处理30分钟开始Cu晶粒生长和清洗基体表面。 然后放置在1050年℃ 15分钟在CH4 5 sccm和 (H2 35) sccm之下前体的 (混合物)。
|
|
2013-05-23 12:26:38
石墨烯合成，清洗腔，然后我们进行退火处理 30 分钟开始铜晶粒生长和清洗衬底表面的氢 10sccm 流。 然后存放在 1050年 ℃ 下的 CH4 的前驱体的混合物 15 分钟 (5 sccm) 和 H2 (35 sccm)。
|
|
2013-05-23 12:28:18
正在翻译，请等待...
|
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
