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2013-05-23 12:21
求翻译：In our experimental aluminum nitride thin films grown using high purity 4N2 inch aluminum target and high purity argon and nitrogen were used as the reaction gas in the nitrogen concentration of 40%, 400℃, and pressure 8mtorr power 250W at 3 hours.是什么意思？ 待解决
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In our experimental aluminum nitride thin films grown using high purity 4N2 inch aluminum target and high purity argon and nitrogen were used as the reaction gas in the nitrogen concentration of 40%, 400℃, and pressure 8mtorr power 250W at 3 hours.
问题补充： |
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2013-05-23 12:21:38
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2013-05-23 12:23:18
在我们的实验性氮化铝薄膜生长高纯度 4 N 2 英寸铝质目标和高纯度氩气和氮气用作反应的气体中的氮气浓度为 40 % 、 400 度、和压力 8 mtorr 电源 250 W 3 个小时。
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2013-05-23 12:24:58
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2013-05-23 12:26:38
在我们的实验氧化铝薄薄膜使用高纯 4N2 英寸铝靶和高纯氩气和氮被用作氮浓度为 40%，反应气体，400 ℃，压力 8mtorr 功率和 250W 在 3 个小时。
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2013-05-23 12:28:18
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